Целью работы является разработка нового метода потенциала внедрения, который можно будет использовать в первопринципных расчетах электронной структуры как невырожденного, так и вырожденного основного состояния ионно-ковалентных кристаллов с учетом корреляционных эффектов межэлектронного взаимодействия.